INFINEON IRF 9540N - MOSFET, P-CH, 100V 23A 140W, TO-220AB

0.86 EUR*

Descripción

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de cambio de marchas rápida y el diseño robusto del dispositivo, para la potencia HEXFET Conocidos por MOSFET, el diseñador ofrece un componente de construcción altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 es de preferencia universal para todas las aplicaciones industriales comerciales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Cambio rápido • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Totalmente apto para Avalon • Canal p.