ONSEMI FCH22N60N ONS - MOSFET, N-Ch 600V 22A 205W, 0,165R, TO-247

2.14 EUR*

Descripción

MOSFET de potencia KSB SUPREME El MOSFET SUPREME® es la próxima generación de tecnología de alta tensión Super Junction (SJ) de ON Semiconductor, en la que uno es diferente de los MOSFET SJ tradicionales por un proceso de llenado profundo de zanjas. Esta tecnología avanzada y el control de procesos preciso garantizan la resistencia de arranque Rspp más baja, una potencia de ruptura superior y una robustez. LOS MOSFET de KSB SUPREME son adecuados para aplicaciones de alimentación de conmutación de alta frecuencia, como PFC, alimentación de servidor/telecomunicaciones, alimentación de FPD-TV, alimentación ATX y aplicaciones de alimentación industrial. Características 650 V A TJ = 150 °C. Tipo. RDS(on) = 140 mOhmios Carga de puerta extremadamente baja (tipo. QG = 45 NC) Baja capacidad efectiva de salida (tipo. COSS (ef.) = 196,4 pF) 100% de avalancha probada Sin PB y compatible con RoHS Aplicaciones PDP TV Inversor solar Fuente de alimentación de CA-CC