INFINEON IRLB 3813 IR - MOSFET, N-Ch 30V 260A 0,00195R, TO-220
1.27 EUR*
Descripción
MOSFET de potencia HEXFET Ventajas: • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas • Sin plomo Aplicaciones: • Optimizado para aplicaciones UPS/inversor • Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para aplicaciones industriales y de telecomunicaciones • Herramientas eléctricas