INFINEON IKP30N65H5 - Transistor IGBT, canal N, 650 V, 55 a, 188W, TO-220

2.49 EUR*

Descripción

IKP30N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta