ONSEMI BUZ 11 - MOSFET, N-Ch 50V 35A 0,04R, TO-220AB

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Descripción

BUZ 11, potencia de canal N MOSFET 50 V, 30 A, 40 mO Descripción Se trata de un transistor de efecto de campo de entrada de silicio de canal N en modo de acumulación diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé y controladores para transistores bipolares de conmutación de alto rendimiento que requieren alta velocidad y baja potencia de controlador de puerta. Este tipo puede funcionar directamente a través de circuitos integrados. Características • 30 A, 50 V • RDS(ON)= 0,040O • SOA tiene un límite de rendimiento de pérdida • Velocidades de conmutación de nanosegundos • Propiedades de transferencia lineal • Alta impedancia de entrada • Componente de soporte mayoritario