MCKENSA Photodiode Au Silicium 2du3, Détecteur De Lumière Visible, Cellule Photoélectrique Au Silicium, Photorésistance Image
MCKENSA Photodiode Au Silicium 2du3, Détecteur De Lumière Visible, Cellule Photoélectrique Au Silicium, Photorésistance Image 2
MCKENSA Photodiode Au Silicium 2du3, Détecteur De Lumière Visible, Cellule Photoélectrique Au Silicium, Photorésistance Image
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MCKENSA Photodiode Au Silicium 2du3, Détecteur De Lumière Visible, Cellule Photoélectrique Au Silicium, Photorésistance

18.99 EUR*

Description

1. Convient aux composants de photodétection, aux détecteurs proche infrarouge, à la lecture photoélectrique, aux optocoupleurs, à la télémétrie par faisceau, à l'identification d'alignement laser et aux commutateurs photoélectriques. 2. Cette cellule photoélectrique offre une large réponse spectrale, inégalée par les tubes photomultiplicateurs, les cellules photoélectriques classiques et les cellules photoélectriques au sélénium. 3. Elle est particulièrement adaptée aux instruments optiques fonctionnant dans la gamme spectrale de 300 nm à 1000 nm. 4. Bénéficie de performances stables et fiables. 5. Conception de circuit simple et flexible : il s'agit d'une pile au sélénium de nouvelle génération. Caractéristiques : Convient aux composants de photodétection, aux détecteurs proche infrarouge, à la lecture photoélectrique, aux optocoupleurs, à la télémétrie par faisceau, à l'identification d'alignement laser et aux commutateurs photoélectriques. Cette cellule photoélectrique offre une large réponse spectrale, inégalée par les tubes photomultiplicateurs, les cellules photoélectriques classiques et les cellules photoélectriques au sélénium. Elle est particulièrement adaptée aux instruments optiques fonctionnant dans la gamme spectrale de 300 nm à 1000 nm. Bénéficie de performances stables et fiables. De conception simple et flexible, cette pile au sélénium de nouvelle génération offre des performances optimales. Spécifications : État : 100 % neuf. Matériaux : Plastique et composants électroniques. Dimensions : Environ 1,7 × 7,8 × 5,8 mm. Couleur : Voir photos. Poids : 20 g. Surface photosensible (mm²) : 3 × 3. Gamme spectrale (nm) : 300^ 1000. Longueur d'onde maximale (nm) : 700. Courant de court^ circuit (E=100L × µA) : 20. Tension en circuit ouvert (E=100L × mV) : 300. Courant d'obscurité (VR = 100 mV × A) : 1 × 10⁻⁸. Contenu de l'emballage : 1 photodiode au silicium. Remarque : Veuillez prévoir une marge d'erreur de 1 à 3 cm due à la mesure manuelle et assurez^ vous que cela ne vous pose pas de problème avant de commander. Veuillez noter que les couleurs peuvent présenter une légère aberration chromatique en raison de la disposition des images.

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