Transistor IRF520N
Transistor IRF520N
1.32 EUR*
Descrição
Transístor de efeito de campo N-MOSFET encapsulado em TO220AB, adequado para montagem THT. Oferece 100 V de dreno-fonte, 9,7 A de corrente de dreno e 48 W de potência, com resistência on-state de 200mOhm e resistência térmica de 3.1K/W. A gate-source suporta ±20 V e a carga de gate é de 16.7nC, tornando-o adequado para comutação de alta potência em circuitos de potência.
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